SIS414DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В, 0.013 Ом, 4.5 В, 600 мВ

PartNumber: SIS414DN-T1-GE3
Ном. номер: 8032167142
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SIS414DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В, 0.013 Ом, 4.5 В, 600 мВ
Фото 2/2 SIS414DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В, 0.013 Ом, 4.5 В, 600 мВ
Доступно на заказ 65 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
66 руб. × = 330 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 60 руб.

Описание

The SIS414DN-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous DC-to-DC converter, system power and load switch applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность
3.4Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
20А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.013Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
600мВ

Дополнительная информация

Datasheet SIS414DN-T1-GE3