SIS476DN-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
148 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 480 000 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Qg - заряд затвора | 77 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.05 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Другие названия товара № | SIS476DN-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 105 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIS |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
Техническая документация
Datasheet SIS476DN-T1-GE3
pdf, 588 КБ
sis476dn
pdf, 571 КБ
