Мой регион: Россия

SIS892ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В

Ном. номер: 8198692821
PartNumber: SIS892ADN-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SIS892ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SIS892ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В
120 руб.
155 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 101 руб.
от 100 шт. — 69 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
82 руб. 8 дней, 2670 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The SIS892ADN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Capable of operating with 5V gate drive
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Vishay
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Package Type
PowerPAK 1212
Maximum Power Dissipation
52 W
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.4mm
Height
1.12mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Drain Source Resistance
47 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
12.8 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.12

Дополнительная информация

Datasheet SIS892ADN-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.