SKM100GAL12T4, Силовой модуль N-БТИЗ, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 7 недель
16 770 руб.
от 3 шт. —
14 930 руб.
от 8 шт. —
13 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 770 руб.
Описание
The Semikron Semitrans 2 package fast IGBT 4 module is belongs to the IGBT4 generation which can be a preferred choice for applications like hybrid or electric vehicles, Electronic welders at switching frequencies of up to 20 kHz, DC/DC converter, brake chopper and switched reluctance motor.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 160 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Number of Transistors | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 151.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 468 КБ
SKM100GAL12T4
pdf, 468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
