SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А

Артикул: SKM100GB125DN
Ном. номер: 105219695
Производитель: Semikron
Фото 1/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Фото 2/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200АФото 3/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
9 760 × = 9 760
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 8 930 руб.
от 5 шт. — 7 982 руб.

Описание

The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.

• Low inductance
• Short tail current with low temperature dependence
• High short circuit capability
• Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
• Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Dual
размеры
94.5 x 34.5 x 30.5mm
высота
30.5mm
длина
94.5mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
SEMITRANS®2
Pin Count
7
ширина
34.5mm

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB125DN
SKM 100 GB 125 DN Thyristor / Diode Modules Data Sheet SKM100GB125DN