SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Фото 2/3 SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]Фото 3/3 SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Фото 1/3 SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
82 шт. со склада г.Москва
12 800 руб.
от 5 шт.12 400 руб.
от 20 шт.12 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 800 руб.
В кредит от 629 руб./мес
Номенклатурный номер: 105219695
Артикул: SKM100GB125DN
Страна происхождения: ИТАЛИЯ
Производитель: Semikron Elektronik

Описание

Двойные модули IGBT
Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.

Технические параметры

Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус D-93
Структура полумост
Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Максимально допустимый импульсный ток э,А 400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В 2.5
Температурный диапазон,С -40…150
Вес, г 160

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах