SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А

Артикул: SKM100GB125DN
Ном. номер: 105219695
Производитель: Semikron
Фото 1/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Фото 2/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200АФото 3/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Доступно на заказ 17 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
7 370 руб. × = 7 370 руб.
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 7 360 руб.
от 10 шт. — 7 350 руб.

Описание

The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.

• Low inductance
• Short tail current with low temperature dependence
• High short circuit capability
• Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
• Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB125DN
SKM 100 GB 125 DN Thyristor / Diode Modules Data Sheet SKM100GB125DN