SKM200GAL12E4, IGBT chopper module 314A

PartNumber: SKM200GAL12E4
Ном. номер: 8100893380
Производитель: Semikron
SKM200GAL12E4, IGBT chopper module 314A
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
Бесплатная доставка по г.Москва
16 710 руб. × = 16 710 руб.
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 14 300 руб.
от 5 шт. — 12 696 руб.

Описание

IGBT Modules, Semikron
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
106.4 x 61.4 x 30.5mm
высота
30.5mm
длина
106.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
314 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
SEMITRANS®3
Pin Count
5
ширина
61.4mm

Дополнительная информация

IGBT chopper module 200A 1200V SKM200GAL12E4