SKM300GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 420 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

PartNumber: SKM300GB12V
Ном. номер: 8046571651
Производитель: Semikron
SKM300GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 420 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module
Доступно на заказ 15 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
Бесплатная доставка по г.Москва
14 240 руб. × = 14 240 руб.
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 12 700 руб.
от 10 шт. — 11 400 руб.

Описание

The SKM300GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.

• Half-bridge switch
• V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
• CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
• Integrated gate resistor
• Lowest switching losses at high di/dt
• UL recognized, file number E63532

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
DC Ток Коллектора
420А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.85В

Дополнительная информация

Datasheet SKM300GB12V