Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

SKM400GB125D, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 400 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module

PartNumber: SKM400GB125D
Ном. номер: 8077057875
Производитель: Semikron
SKM400GB125D, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 400 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module
Доступно на заказ 23 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
Бесплатная доставка по г.Москва
25 810 × = 25 810
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 22 800 руб.
от 10 шт. — 20 500 руб.

Описание

The SKM400GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.

• Low inductance case
• High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
• Fast and soft inverse CAL diodes
• Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
DC Ток Коллектора
400А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
3.3В

Дополнительная информация

Datasheet SKM400GB125D