SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]

SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
360 руб.
от 5 шт.345 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000189626
Артикул: SKW30N60HS (K30N60HS)
PartNumber: SKW30N60HSFKSA1
Производитель: Китай

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А 112
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 250
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус pg-to-247-3
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 4
Крутизна характеристики, S 20
Вес, г 7.5

Техническая документация

Infineon-SKW30N60HS-DS
pdf, 348 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Цена и наличие в магазинах