SMMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
от 211 шт. —
9 руб.
от 421 шт. —
7.40 руб.
от 841 шт. —
6.60 руб.
Добавить в корзину 41 шт.
на сумму 492 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Collector Current (Ic) | 500mA | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW | |
| Transistor Type | NPN | |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
MMBTA05L, MMBTA06L
pdf, 98 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
