SPD50P03LGBTMA1, MOSFET

Фото 2/3 SPD50P03LGBTMA1, MOSFETФото 3/3 SPD50P03LGBTMA1, MOSFET
Фото 1/3 SPD50P03LGBTMA1, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
190 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 380 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8716964340
Артикул: SPD50P03LGBTMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ разработаны для обеспечения расширенных функций и качественных характеристик. Характеристики включают сверхнизкие коммутационные потери, сопротивление в открытом состоянии, лавинные характеристики, а также квалификацию AEC для автомобильных решений. Применения включают DC-DC, управление двигателями, автомобилестроение и eMobility.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 50 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.41мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.41мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14,8 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 139 нс
Серия OptiMOS P
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 12,5 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 2 (силовых/коаксиальных), 5 (силовых/коаксиальных), 5 (сигнальных)
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 95 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4590 пФ при -25 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 126 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 21.7 ns
Время спада 104 ns
Другие названия товара № G SP000371908 SPD50P03L SPD5P3LGXT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 47 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки при включении 14.8 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3

Техническая документация

Datasheet SPD50P03LGBTMA1
pdf, 383 КБ
Datasheet
pdf, 138 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах