SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
![Фото 1/6 SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330092.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 15 шт. —
413 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
| Корпус | PG-TO220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1…3.9 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 491 КБ
Datasheet SPP11N80C3XKSA1
pdf, 488 КБ
Datasheet SPP11N80C3
pdf, 490 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
