SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
![Фото 1/6 SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/209/DOC001209879.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 15 шт. —
635 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
| Корпус | PG-TO247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 509 КБ
Datasheet
pdf, 506 КБ
Документация
pdf, 506 КБ
Datasheet SPW11N80C3
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
