SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
![Фото 1/5 SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 15 шт. —
1 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/21.9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 313 | |
| Корпус | PG-TO247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW35N60C3FKSA1
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW35N60C3
pdf, 754 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
