SQ2310ES-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 33 шт. —
43 руб.
от 65 шт. —
41 руб.
от 129 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 468 руб.
Посмотреть аналоги11
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Технические параметры
| Корпус | to-236 | |
| Brand | Vishay/Siliconix | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Fall Time | 9 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 27 S | |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | |
| Manufacturer | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number Of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-236-3 | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Product Type | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 8.5 nC | |
| Qualification | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms | |
| Rise Time | 8 ns | |
| Series | SQ | |
| Subcategory | MOSFETs | |
| Technology | Si | |
| Tradename | TrenchFET | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V | |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV | |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet SQ2310ES-T1_BE3
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
