SQD40020E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0019 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 2/3 SQD40020E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0019 Ом, TO-252 (DPAK), Surface MountФото 3/3 SQD40020E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0019 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Фото 1/3 SQD40020E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0019 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1839 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
280 руб.
от 10 шт.231 руб.
от 100 шт.173 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001615793
Артикул: SQD40020E_GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C МОП-транзистор

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая Мощность 107Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 100А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0019Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции TrenchFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature +175 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.41мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Vishay
Максимальный непрерывный ток стока 100 А
Тип корпуса TO-252
Maximum Power Dissipation 107 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 9.65мм
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Высота 4.57мм
Минимальное пороговое напряжение включения 2.5V
Maximum Drain Source Resistance 4,7 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 В
Pin Count 3
Автомобильный стандарт AEC-Q101
Typical Gate Charge @ Vgs 84 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage ±20 В
Forward Diode Voltage 1.5V
Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 107 W
Qg - заряд затвора 84 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 17 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 84 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 2000
Серия SQ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 34 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 20

Техническая документация

Datasheet SQD40020E_GE3
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах