SQJ868EP-T1_GE3, MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

от 10 шт. — 160 руб.

от 100 шт. — 119 руб.

от 500 шт. — 95.19 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 8018737935

Артикул: SQJ868EP-T1_GE3

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0062Ом
Power Dissipation	48Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	58А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	48Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0062Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1

pdf, 234 КБ

Мы рекомендуем