SSM6N7002KFU, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 300мА, 285мВт, SC88
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8020242973
Артикул
SSM6N7002KFU
Бренд
Channel Type
N
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Все параметры
Datasheet
pdf, 244 КБ
Все документы
49 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
14 руб.
1 шт.
на сумму 14 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2e+006 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | US6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Material | Silicon |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 244 КБ
Datasheet SSM6N7002KFU
pdf, 221 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.