SST25VF020B-80-4I-SAE, Флеш память, 2 Мбит, 256К x 8бит, 80 МГц, 4-проводной, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

PartNumber: SST25VF020B-80-4I-SAE
Ном. номер: 8273341648
Производитель: Microchip
Фото 1/2 SST25VF020B-80-4I-SAE, Флеш память, 2 Мбит, 256К x 8бит, 80 МГц, 4-проводной, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
Фото 2/2 SST25VF020B-80-4I-SAE, Флеш память, 2 Мбит, 256К x 8бит, 80 МГц, 4-проводной, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
Доступно на заказ 1027 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
69 руб. × = 69 руб.
от 10 шт. — 57 руб.
от 25 шт. — 55 руб.

Описание

The SST25VF020B-80-4I-SAE is a Serial Peripheral Interface (SPI) Flash Memory with SST proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The SST25VF020B devices are enhanced with improved operating frequency and even lower power consumption. The split-gate cell design and thick-oxide tunnelling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST25VF020B devices significantly improve performance and reliability, while lowering power consumption. The devices write (Program or Erase) with a single power supply of 2.7 to 3.6V for SST25VF020B. The total energy consumed is a function of the applied voltage, current and time of application. Since for any given voltage range, the SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time, the total energy consumed during any Erase or Program operation is less than alternative flash memory technologies.

• Single voltage read and write operation
• Serial interface architecture - SPI compatible of mode 0 and mode 3
• Superior reliability - 100000 cycles endurance and greater than 100-year data retention
• Low power consumption - 10mA (typical) active read current and 5µA (typical) standby current
• Flexible erase capability
• Fast erase and byte-program
• Auto Address Increment (AAI) programming
• End-of-write detection
• Hold pin (HOLD#) - Suspends a serial sequence to the memory without deselecting the device
• Write protection (WP#) - Enables/disables the lock-down function of the status register
• Software write protection - Write protection through Block-Protection bits in status register

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Линия Продукции
3V Serial NOR Flash Memories
Минимальная Рабочая Температура
-40 C
Максимальная Рабочая Температура
85 C
Максимальное Напряжение Питания
3.6В
Минимальное Напряжение Питания
2.7В
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Упаковка
Поштучно
Тип Интерфейса ИС
4-проводной, Последовательный, SPI
Тактовая Частота
80МГц
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
SOIC
Размер Памяти
2Мбит
Конфигурация Флэш-памяти
256К x 8бит
Соответствует Фталатам RoHS
Да

Дополнительная информация

Datasheet SST25VF020B-80-4I-SAE