SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, LCC, 32 вывод(-ов)

PartNumber: SST39SF040-70-4I-NHE
Ном. номер: 8058582424
Производитель: Microchip
SST39SF040-70-4I-NHE, Флеш память, NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, LCC, 32 вывод(-ов)
Доступно на заказ 305 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
220 руб. × = 220 руб.
от 10 шт. — 167 руб.
от 25 шт. — 148 руб.


The SST39SF040-70-4I-NHE is a 4MB CMOS multi-purpose Flash Memory manufactured with SSTs proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device writes with a 4.5 to 5.5V power supply. Featuring high performance byte-program, the device provides a maximum byte-program time of 20µsec. This device uses toggle bit or data# polling to indicate the completion of program operation. To protect against inadvertent write, it has on-chip hardware and software data protection schemes. Designed, manufactured and tested for a wide spectrum of applications, this device is offered with a guaranteed typical endurance of 100000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.

• Superior reliability
• Low power consumption
• Sector-erase capability - uniform 4Kbyte word sectors
• Fast read access time - 70ns
• Latched address and data
• Automatic write timing - internal VPP generation
• Fast erase and byte-program
• End-of-write detection
• TTL I/O compatibility

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Тип памяти
Флэш - ИЛИ-НЕ
Линия Продукции
5V Parallel NOR Flash Memories
Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов
Время Доступа
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Размер Памяти
Конфигурация Флэш-памяти
512К x 8бит

Дополнительная информация

Datasheet SST39SF040-70-4I-NHE