Мой регион: Россия

STB100N6F7, MOSFET N-Ch 60V100A STrip

PartNumber: STB100N6F7
Ном. номер: 8000005897
Производитель: ST Microelectronics
STB100N6F7, MOSFET N-Ch 60V100A STrip
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
210 руб.
555 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 150 руб.
от 100 шт. — 112 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
185 руб. 3-4 недели, 316 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 159 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
9.35мм
Высота
4.6мм
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21,6 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
28,6 нс
Серия
STripFET F7
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
5,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12,6 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1980 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.