STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор

Фото 2/3 STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзисторФото 3/3 STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор
Фото 1/3 STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор
910 шт., срок 5-6 недель
770 руб.
от 10 шт.580 руб.
от 100 шт.464 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 770 руб.
Номенклатурный номер: 9000187548
Артикул: STB23NM50N
Производитель: ST Microelectronics

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом при 8.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Корпус d2pak
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 1.2

Техническая документация

...23NM50N
pdf, 862 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STB23NM50N
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах