STB24N60DM2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 11А, 150Вт, D2PAK
1424 шт., срок 7 недель
640 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 30 шт. —
386 руб.
от 100 шт. —
324.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
600V 18A 200mΩ@9A,10V 150W 5V@250uA null D2PAK MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@9A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.055nF@100V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1170 КБ
stb24n60dm2
pdf, 1195 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
