Мой регион: Россия

STB25NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом, 10 В, 4 В

Ном. номер: 8147237134
PartNumber: STB25NM60ND
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STB25NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом, 10 В, 4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STB25NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом, 10 В, 4 В
370 руб.
246 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 291 руб.
от 100 шт. — 253 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
270 руб. 4 дня, 13 шт. 1 шт. 3 шт.
от 6 шт. — 200 руб.
от 11 шт. — 172 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
160 W
Series
FDmesh
Mounting Type
Surface Mount
Width
10.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Height
4.6mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
1.642

Дополнительная информация

Datasheet STB25NM60ND

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.