Мой регион: Россия

STB26NM60N, MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK

Ном. номер: 8447999465
PartNumber: STB26NM60N
Производитель: ST Microelectronics
STB26NM60N, MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
1786 шт. со склада г.Москва,
срок 10 рабочих дней
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

Semiconductors

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.75mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
140 W
Series
MDmesh
Mounting Type
Surface Mount
Width
10.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
4.6mm
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.