STB45N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
2 430 руб.
от 2 шт. —
2 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 430 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008966846
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 35A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3375pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 210W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 19.5A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
...45N65M5
pdf, 1678 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
