Мой регион: Россия

STB75NF75LT4, МОП-транзистор, N Канал, 37.5 А, 75 В, 0.009 Ом, 15 В, 2.5 В

Ном. номер: 8220186620
PartNumber: STB75NF75LT4
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STB75NF75LT4, МОП-транзистор, N Канал, 37.5 А, 75 В, 0.009 Ом, 15 В, 2.5 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STB75NF75LT4, МОП-транзистор, N Канал, 37.5 А, 75 В, 0.009 Ом, 15 В, 2.5 В
170 руб.
875 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 142 руб.
от 100 шт. — 109 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
240 руб. 8 дней, 1370 шт. 2 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The STB75NF75LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

• Exceptional dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Low threshold drive
• -55 to 175°C Operating junction temperature

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
300 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.35мм
Высота
4.6мм
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
110 нс
Серия
STripFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
75 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4300 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Вес, г
0.2

Дополнительная информация

Datasheet STB75NF75LT4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.