STD2HNK60Z, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2A 45Вт 4,8Ом TO252 (8043859623)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8043859623
Артикул
STD2HNK60Z
Бренд
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
45 W
Qg - заряд затвора
11 nC
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Все параметры
Datasheet
pdf, 827 КБ
Все документы
55 шт., срок 6-7 недель
88 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
56 руб.
5 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения5
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
МОП-транзистор N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 50 ns |
| Высота | 2.4 mm |
| Длина | 6.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD2HNK60Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.2 mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 50 ns |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 Ohms |
| Rise Time | 30 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.2 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.58 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.