STD2HNK60Z-VB, Транзистор N-MOSFET 650В 2А 60Вт [DPAK.]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9001570139

Артикул

STD2HNK60Z-VB

Бренд

Структура

N-канал

Крутизна характеристики, S

3.9

Корпус

TO-252/DPAK

Вес, г

0.4

Все параметры

pdf, 474 КБ

430 шт. со склада г.Москва

50 руб.

от 50 шт. — 40 руб.

от 500 шт. — по запросу

1 шт. на сумму 50 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	3.8 Ом/3.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	60
Крутизна характеристики, S	3.9
Корпус	TO-252/DPAK
Вес, г	0.4

pdf, 474 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем