STD3N62K3, MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11839 шт., срок 7-9 недель
230 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
148 руб.
от 500 шт. —
120.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 1,7А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 13 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6.8 ns |
Время спада | 15.6 ns |
Высота | 2.4 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD3N62K3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 22 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.2 mm |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.7 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2500@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH 3 |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 15.6 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 385@25V |
Typical Rise Time (ns) | 6.8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.