Мой регион: Россия

STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]

Ном. номер: 9000394405
Артикул: STD3NK80ZT4
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]
Фото 2/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]Фото 3/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]Фото 4/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]Фото 5/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]Фото 6/6 STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]
26 руб.
1758 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 21 руб.
от 150 шт. — 20 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 11500 шт. 1 шт. 211 шт.
от 374 шт. — 16.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The STD3NK80ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Вес, г
0.4

Техническая документация

STD3NK80ZT4
pdf, 1357 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STD3NK80ZT4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.