STD5N20LT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
410 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор MOSFET TO252
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 15.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 33 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 650 mOhms |
| Rise Time | 21.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STD5N20L |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 6.2 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 21.5 ns |
| Время спада | 15.5 ns |
| Высота | 2.4 mm |
| Длина | 6.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD5N20L |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.2 mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet STD5N20LT4
pdf, 268 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
