Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected ...

STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

275 шт. со склада г.Москва

150 руб.

от 15 шт. — 120 руб.

от 150 шт. — 114 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000057808

Артикул: STD5NK50ZT4

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max:4.4A; On State resistance @ Vgs = 10V:1.5ohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:17.6A; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:3.75V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:3V

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	70
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4