STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В, TO-220FP

Фото 1/3 STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В, TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Цена и сроки поставки по запросу
200 руб.
от 15 шт.191 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 9000375110
Артикул: STF12N65M5
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT
STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.

Технические параметры

Структура N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.43 Ом/4.3a, 10В
Корпус TO-220FP
Вес, г 190

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1088 КБ
Datasheet
pdf, 1071 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов