STF18N55M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
142 шт., срок 7-9 недель
1 030 руб.
от 50 шт. —
710 руб.
от 100 шт. —
563 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 550V 16A (Tc) 25W (Tc) сквозное отверстие TO-220FP
Технические параметры
Base Product Number | STF18 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 8A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MDmeshв„ў V -> |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1540 КБ
Datasheet ...18N55M5
pdf, 1247 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.