STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]

Артикул: STF21NM60ND
Ном. номер: 9000187578
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]
Фото 2/3 STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]Фото 3/3 STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
230 руб. × = 230 руб.
от 5 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 199 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STF21NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• Worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode devices
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
170
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

...21NM60ND
pdf, 1389 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STF21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 Ohm, 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK STF21NM60ND
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов