STF35N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 28 А, 0.094 Ом, TO-220FP, Through Hole

Фото 2/2 STF35N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 28 А, 0.094 Ом, TO-220FP, Through Hole
Фото 1/2 STF35N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 28 А, 0.094 Ом, TO-220FP, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8865135785
Артикул: STF35N60DM2
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-220fp
Рассеиваемая Мощность 40Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 28А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.094Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Transistor Mounting Through Hole
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 28 А
Тип корпуса TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности 40 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 16.4мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 16.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 21,2 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 68 нс
Серия MDmesh DM2
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 54 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2400 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Прямое напряжение диода 1.6V
Вес, г 1.9

Дополнительная информация

Datasheet STF35N60DM2

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах