STF7N52DK3, MOSFET N-Channel 525V 6A

PartNumber: STF7N52DK3
Ном. номер: 8040864261
Производитель: ST Microelectronics
STF7N52DK3, MOSFET N-Channel 525V 6A
Доступно на заказ более 10 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
260 руб. × = 1 300 руб.
Цена указана за упаковку из 5
Количество товаров должно быть кратно 5 уп.
от 10 уп. — 220 руб.
от 50 уп. — 166.40 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ K3 series, SuperMESH3™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Resistance
1.15 Ω
Maximum Drain Source Voltage
525 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
870 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
37 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

N-channel 525 V, 0.98 Ohm, 6 A, DPAK SuperFREDmesh3; Power MOSFET STF7N52DK3