STF7NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/3 STF7NM60N, Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1043 шт., срок 7-9 недель
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
от 292 шт.230 руб.
от 827 шт.219 руб.
Добавить в корзину 160 шт. на сумму 38 400 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003196036
Артикул: STF7NM60N
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5 A
Pd - рассеивание мощности 20 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF7NM60N
Технология Si
Тип Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number STF7 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-5 Full Pack
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series MDmeshв„ў II ->
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

...7NM60N
pdf, 880 КБ
Datasheet
pdf, 582 КБ
Datasheet
pdf, 596 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.