STFH10N60M2, MOSFET N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree

STFH10N60M2, MOSFET N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1870 шт., срок 7-9 недель
370 руб.
от 10 шт.310 руб.
от 100 шт.183 руб.
от 920 шт.158.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.
Номенклатурный номер: 8004673203
Артикул: STFH10N60M2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP wide creepage package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 7.5 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 13.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 8 ns
Время спада 13.2 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 920
Серия STFH10N60M2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32.5 ns
Типичное время задержки при включении 8.8 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet STFH10N60M2
pdf, 570 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.