Мой регион: Россия

STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8164312774
PartNumber: STGB10M65DF2
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
200 руб.
796 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 149 руб.
от 100 шт. — 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Continuous Collector Current
20 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
115 W
Energy Rating
0.66mJ
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.35mm
Height
4.6mm
Pin Count
3
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Gate Capacitance
840pF
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet STGB10M65DF2

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.