STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
1888 шт., срок 8-10 недель
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
328 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
115W 20A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 20A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 96ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 115W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 40A |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.27mJ |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.12mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
