Мой регион: Россия

STGB20NB41LZT4, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.3 В, 200 Вт, 412 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8135339221
PartNumber: STGB20NB41LZT4
Производитель: ST Microelectronics
STGB20NB41LZT4, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.3 В, 200 Вт, 412 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
112 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 369 руб.
от 100 шт. — 322 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
421 руб. 3-4 недели, 518 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 363 руб.
от 25 шт. — 357 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.

• Polysilicon gate voltage driven
• Low threshold voltage
• Low on-voltage drop
• Low gate charge
• High current capability
• High voltage clamping

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet STGB20NB41LZT4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.