STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]

Артикул: STGD18N40LZT4
Ном. номер: 9000150015
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
Фото 2/3 STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]Фото 3/3 STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
110 руб. × = 110 руб.
от 10 шт. — 97 руб.
от 100 шт. — 95 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.3
Управляющее напряжение,В
1.6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+175
Корпус

Техническая документация

STGD18N40LZT4
pdf, 887 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STGD18N40LZT4
STGB18N40LZ, STGD18N40LZ, STGP18N40LZ, EAS 180mJ - 390V - Internally Clamped IGBT Data Sheet STGD18N40LZT4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов