STGF3NC120HD, STGF3NC120HD,IGBT N-ch 1

PartNumber: STGF3NC120HD
Ном. номер: 8041799098
Производитель: ST Microelectronics
STGF3NC120HD, STGF3NC120HD,IGBT N-ch 1
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
170 руб. × = 850 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 140 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
6 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
ширина
4.6mm

Дополнительная информация

STGB3NC120HD, STGF3NC120HD, STGP3NC120HD, 7A, 1200V Very Fast IGBT with Ultrafast Diode Data Sheet STGF3NC120HD