STGF6NC60HD, STGF6NC60HD,IGBT N-ch 600

PartNumber: STGF6NC60HD
Ном. номер: 8033249808
Производитель: ST Microelectronics
STGF6NC60HD, STGF6NC60HD,IGBT N-ch 600
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
150 руб. × = 750 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 88 руб.
от 50 шт. — 77.60 руб.

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
6 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
ширина
4.6mm

Дополнительная информация

STGB6NC60HD - STGB6NC60HD-1, STGF6NC60HD - STGP6NC60HD, N-Channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very Fast PowerMESH IGBT Dat STGF6NC60HD