STGIPN3H60T-H, IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano

Фото 1/3 STGIPN3H60T-H, IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт., срок 7 недель
1 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 470 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015390341
Артикул: STGIPN3H60T-H
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 8 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение SLLIMM
Конфигурация 3-Phase Inverter
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 476
Серия STGIPN3H60T-H
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tray
Упаковка / блок NDIP-26L
Base Product Number STGIPN3 ->
Configuration 3 Phase
Current 3A
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Package Tube
Package / Case 26-PowerDIP Module (0.846"", 21.48mm)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SLLIMMв„ў ->
Type IGBT
Voltage 600V
Voltage - Isolation 1000Vrms
Линейка Продукции SLLIMM Nano Series
Напряжение Изоляции 1кВ
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM) SLLIMM
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания NDIP
Ток (Ic / Id)
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet STGIPN3H60T-H
pdf, 1181 КБ
Datasheet STGIPN3H60T-H
pdf, 1004 КБ
Datasheet STGIPN3H60T-H
pdf, 991 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.