STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]

Фото 2/2 STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
Фото 1/2 STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
1090 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 15 шт.125 руб.
от 150 шт.122 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000164561
Артикул: STGP10NC60KD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 65 Вт, Заряд затвора 19 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах