STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]

Фото 2/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]Фото 3/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]Фото 4/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]Фото 5/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
Фото 1/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
435 шт. со склада г.Москва
77 руб.
от 15 шт.68 руб.
от 150 шт.64.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 77 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000163334
Артикул: STGP7NC60HD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

IGBT транзистор - Примечание: IGBT, 600V, 7A, TO-220
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 80 Вт, Заряд затвора 35 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах