STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]

Фото 2/4 STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]Фото 3/4 STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]Фото 4/4 STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
Фото 1/4 STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
186 шт. со склада г.Москва
75 руб.
от 15 шт.65 руб.
от 150 шт.62.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 75 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000569059
Артикул: STGP8NC60KD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 9.15 mm
Длина 10.4 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 7 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STGP8NC60KD
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах