Добавить к сравнению Сравнить ()

STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод TO-247

Артикул: STGW20NC60VD
Ном. номер: 9030001355
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод TO-247
Фото 2/3 STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод TO-247Фото 3/3 STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод TO-247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
100 × = 100
от 25 шт. — 93 руб.
от 30 шт. — 82 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Управляющее напряжение,В
5.75
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

STGW20NC60VD
pdf, 339 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STGW20NC60VD
Datasheet STGW20NC60VD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов