STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]

Фото 2/4 STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]Фото 3/4 STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]Фото 4/4 STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
Фото 1/4 STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
509 шт. со склада г.Москва
270 руб.
от 15 шт.254 руб.
от 150 шт.252 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9030001355
Артикул: STGW20NC60VD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

• Возможность работы с большими токами
• Работа на высоких частотах до 50 кГц
• Очень мягкий антипараллельный диод со сверхбыстрым восстановлением
• Напряжение затвор-эмиттер ± 20 В
• БТИЗ 0,63 ° C / Вт тепловое сопротивление, переход к корпусу
• Тепловое сопротивление IGBT 1,5 ° C / Вт, переход к корпусу
• 50 ° C / Вт Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде

Технические параметры

Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 100
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 5.75
Крутизна характеристики, S 15
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet STGW20NC60VD
pdf, 325 КБ
STGW20NC60VD
pdf, 339 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах